您提供最佳的解决方案

 

力于工业beplay2的科研及发展

 

 

特立特 高品质 高效率

 

 

首页标题    热解beplay2坩埚PBN坩埚    VGF坩埚
38
javascript:void(0)37
36
30
18

VGF坩埚

VGF坩埚是应用于垂直梯度凝固法(VGF)技术中的一类坩埚。目前,VGF技术作为单晶生长的热门技术,是微光电子和半导体产业生长GaAs单晶和InP单晶的良好选择。
主要特点:
1.可制作大规格坩埚(最大直径8inch,最大高度18inch);
2.纯度>99.99%
3.使用次数多(具有优异的层间结构);
产品应用
应用于原位合成GaAs、InP等半导体单晶。

PBN性能参数表

Properties(属性)
Units(单位)
Values(数值)
Density(密度)
g/cm3
1.95-2.20
Tensile Strength(抗拉强度)
MPa
112
Bending Strength(弯曲强度)
MPa
173
Compression Strength(压缩强度)
MPa
154
Young's Modulus(杨氏模量)
GPa
18
Thermal Conductivity(导热系数)
W/m°C
"a" 60  "c" 2
Specific Heat(比热)
J/g·℃
0.90(RT)
Resistivity(电阻率)
Ω.cm
2×1015
Dielectric Strength(介电强度)
D.C. volts/mm
2x1015
Dielectric Constant(介电常数)
 
"c" 3.07
Metal Impurity Content(金属杂质含量)
ppm
<10