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LEC坩埚

液封直拉法(LEC)技术可生长适用于直接离子注入的高纯非掺杂半绝缘单晶或多晶等。
主要特点:
1.我公司可制作大规格坩埚(最大直径12inch,最大高度17inch)
2.纯度高(>99.99%);
3. 1500℃下,a方向的热导率是c方向的20倍以上,有利于形成单晶生长所需的温度梯度。
产品应用
用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半导体单晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶。

PBN性能参数表

Properties(属性)
Units(单位)
Values(数值)
Density(密度)
g/cm3
1.95-2.20
Tensile Strength(抗拉强度)
MPa
112
Bending Strength(弯曲强度)
MPa
173
Compression Strength(压缩强度)
MPa
154
Young's Modulus(杨氏模量)
GPa
18
Thermal Conductivity(导热系数)
W/m°C
"a" 60  "c" 2
Specific Heat(比热)
J/g·℃
0.90(RT)
Resistivity(电阻率)
Ω.cm
2×1015
Dielectric Strength(介电强度)
D.C. volts/mm
2x1015
Dielectric Constant(介电常数)
 
"c" 3.07
Metal Impurity Content(金属杂质含量)
ppm
<10