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PRODUCTS

  • beplay2结构件任意尺寸都可加工
    beplay2beplay2与氧化铝beplay2相比,优点耐温高,真空或气氛保护下使用温度2000度,氧化铝不超过1700度.抗热震非常好,升降温再快beplay2beplay2也不会开裂,1000度炉内保温20分钟取出来吹风急冷连续反复上百次不会开裂.氧化铝beplay2急冷急热易开裂.耐腐蚀,耐酸碱,电绝缘强度是氧化铝beplay2的3 -4倍.beplay2beplay2金属材料不反应不粘结,如黑色金属,铁,铜,不锈钢,铋,锗,铝,锑,锡,镉,铅,镍,锌,黄铜,铟,镁;玻璃熔体,钠玻璃,冰晶石等.硅熔盐:炉渣氟化物等不反应不粘结,可以作为其高温烧结熔炼用盛装容器,坩埚,承烧板等.beplay2易吸潮,坩埚不用时不要放置于潮湿区域.密封保存,不能用洗,表面脏了直接用砂纸擦除.所有尺寸都可以按客户的要求加工.
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  • BN光谱仪beplay2片斯派克,布鲁克,岛津,贝尔德,北京纳克,牛津光谱仪,山东东仪等各国光谱仪垫片可加工任意尺寸
    beplay2beplay2与氧化铝beplay2相比,优点耐温高,真空或气氛保护下使用温度2000度,氧化铝不超过1700度.抗热震非常好,升降温再快beplay2beplay2也不会开裂,1000度炉内保温20分钟取出来吹风急冷连续反复上百次不会开裂.氧化铝beplay2急冷急热易开裂.耐腐蚀,耐酸碱,电绝缘强度是氧化铝beplay2的3 -4倍.beplay2beplay2金属材料不反应不粘结,如黑色金属,铁,铜,不锈钢,铋,锗,铝,锑,锡,镉,铅,镍,锌,黄铜,铟,镁;玻璃熔体,钠玻璃,冰晶石等.硅熔盐:炉渣氟化物等不反应不粘结,可以作为其高温烧结熔炼用盛装容器,坩埚,承烧板等.beplay2易吸潮,坩埚不用时不要放置于潮湿区域.密封保存,不能用洗,表面脏了直接用砂纸擦除.所有尺寸都可以按客户的要求加工.
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  • beplay2坩埚可加工任意尺寸
    beplay2beplay2与氧化铝beplay2相比,优点耐温高,真空或气氛保护下使用温度2000度,氧化铝不超过1700度.抗热震非常好,升降温再快beplay2beplay2也不会开裂,1000度炉内保温20分钟取出来吹风急冷连续反复上百次不会开裂.氧化铝beplay2急冷急热易开裂.耐腐蚀,耐酸碱,电绝缘强度是氧化铝beplay2的3 -4倍.beplay2beplay2金属材料不反应不粘结,如黑色金属,铁,铜,不锈钢,铋,锗,铝,锑,锡,镉,铅,镍,锌,黄铜,铟,镁;玻璃熔体,钠玻璃,冰晶石等.硅熔盐:炉渣氟化物等不反应不粘结,可以作为其高温烧结熔炼用盛装容器,坩埚,承烧板等.beplay2易吸潮,坩埚不用时不要放置于潮湿区域.密封保存,不能用洗,表面脏了直接用砂纸擦除.所有尺寸都可以按客户的要求加工.
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  • OLED坩埚
    OLED是正在新兴的一种先进显示技术。 OLED坩埚作为OLED生产线上蒸发元的主要容器使用。
    产品特点
    纯度高达99.999%
    高温下放气率极低
    厚度均匀,加热一致性好
    优异的热导率和抗热震性
    易清洗和反复使用
    化学惰性,在高温下与酸、碱不发生化学反应
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  • MBE坩埚
    分子束外延(MBE)法是生产砷化镓外延片的方法之一,该法可制出多元、多层、同质、异质、超晶格和量子阱等结构的外延材料。晶体纯度高,化学稳定性好。
    主要特点:
    1. 可制作大规格坩埚(最大直径12inch,最大高度17inch);
    2. 密度高(最高可达2.2g/cm3);
    3. 纯度高(>99.99%);
    4.不易开裂(层间强度高)。
    产品应用
    主要用于MBE法合成半导体单晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。
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  • VGF坩埚
    VGF坩埚是应用于垂直梯度凝固法(VGF)技术中的一类坩埚。目前,VGF技术作为单晶生长的热门技术,是微光电子和半导体产业生长GaAs单晶和InP单晶的良好选择。
    主要特点:
    1.可制作大规格坩埚(最大直径8inch,最大高度18inch);
    2.纯度>99.99%
    3.使用次数多(具有优异的层间结构);
    产品应用
    应用于原位合成GaAs、InP等半导体单晶。
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  • LEC坩埚
    液封直拉法(LEC)技术可生长适用于直接离子注入的高纯非掺杂半绝缘单晶或多晶等。
    主要特点:
    1.我公司可制作大规格坩埚(最大直径12inch,最大高度17inch)
    2.纯度高(>99.99%);
    3. 1500℃下,a方向的热导率是c方向的20倍以上,有利于形成单晶生长所需的温度梯度。
    产品应用
    用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半导体单晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶。
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  • PBN舟
    水平定向凝固法合成多晶,定向凝固炉分为3个温区,以砷化镓多晶为例,砷单质在低温区(约630 ℃)升华,通过中温区后在高温区(1 250~1 255 ℃)与镓逐渐化合为砷化镓多晶。PBN舟用于高温区的反应容器。
    主要特点:
    1.可制作大规格舟(最大高度为17inch);
    2.密度高(最高可达2.20g/cm3);
    3.纯度高(>99.99%);
    4.不易开裂(层间强度高)
    5.耐高温(真空中最高可耐受2300℃高温);
    6.抗热震性好;
    7.使用寿命长 。
    产品应用:
    用于水平定向凝固法生长Ⅲ-Ⅴ族化合物多晶等。
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  • PBN板材垫片
    目前常规的绝缘材料存在不耐高温、纯度低、高温下释放气体、韧性差、高温下不绝缘、易被腐蚀等缺点,PBN绝缘板可解决这些问题。
    主要特点:
    1.在真空中最高可耐受2300℃,在氨气氛下最高可耐受2700℃
    2. 纯度高,高温下不释放气体杂质(>99.99%)
    3.韧性好(类似于石墨的六方结构)
    4. 高温绝缘性好(体积电阻系数3.11×1011Ω•cm)
    5.强化学惰性,耐酸碱盐及有机溶剂的腐蚀
    6. c方向热导率低,能够阻挡热量向下传导,减少热量的损失
    产品应用:
    用于真空、高温、MBE设备等领域的绝缘垫板、垫片、支架、桥架等
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  • 氧化铝基片基板结构件
    氧化铝beplay2是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的beplay2材料,用于厚膜集成电路。氧化铝beplay2有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。氧化铝beplay2是一种用途广泛的beplay2,因为其优越的性能,在现代社会的应用已经越来越广泛,满足于日用和特殊性能的需要
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  • 非标订做各种异形氧化铝刚玉beplay2坩埚
    纯度高,耐化学腐蚀性好2、耐温性好,长期使用在1600℃,短期1800℃3、耐急冷急热性好,不易炸裂4、注浆成型密度高 适用于各种实验室金属、非金属样品分析及熔料用。
    刚玉坩埚特点:
    1、纯度高:Al2O3>99.3%,耐化学腐蚀性好
    2、耐温性好,长期使用在1650℃,短期1800℃
    3、耐急冷急热性好,不易炸裂
    4、注浆成型密度高

    用 途:烧制彩电粉,荧光粉,稀土材料,贵金属材料,焙烧高,中,低beplay2电容器NTC,PTC压电beplay2及钴酸锂,锰酸锂粉末的最佳焙烧容器
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  • 测温热电偶用保护管、绝缘管
    氧化铝beplay2纯度分别为(95/97/99/99.5/99.7/99.8/99.9/99.99)
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  • 氮化铝具有优良的导热性(为氧化铝beplay2的5-10倍),较低的介电常数和介质损耗,可靠的绝缘性能,优良的力学性能,无毒,耐高温,耐化学腐蚀,且与硅的热膨胀系数相近,广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。我司可按客户要求生产各种规格尺寸形状的产品
    我司采用流延法制作氧化铝beplay2基板,产品具有热导好,绝缘性稳定,抗热冲击,耐磨抗酸碱等优点.可用于厚膜混合集成电路HTC,LEDbeplay2散热基座,功率模块,半导体器件等领域

    产品特点
    高导热性
    热膨胀系数跟Si接近
    优良的绝缘性能
    较低介电常数和介质损耗
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  • OLED坩埚
    OLED是正在新兴的一种先进显示技术。 OLED坩埚作为OLED生产线上蒸发元的主要容器使用。
    产品特点
    纯度高达99.999%
    高温下放气率极低
    厚度均匀,加热一致性好
    优异的热导率和抗热震性
    易清洗和反复使用
    化学惰性,在高温下与酸、碱不发生化学反应
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  • MBE坩埚
    分子束外延(MBE)法是生产砷化镓外延片的方法之一,该法可制出多元、多层、同质、异质、超晶格和量子阱等结构的外延材料。晶体纯度高,化学稳定性好。
    主要特点:
    1. 可制作大规格坩埚(最大直径12inch,最大高度17inch);
    2. 密度高(最高可达2.2g/cm3);
    3. 纯度高(>99.99%);
    4.不易开裂(层间强度高)。
    产品应用
    主要用于MBE法合成半导体单晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。
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  • VGF坩埚
    VGF坩埚是应用于垂直梯度凝固法(VGF)技术中的一类坩埚。目前,VGF技术作为单晶生长的热门技术,是微光电子和半导体产业生长GaAs单晶和InP单晶的良好选择。
    主要特点:
    1.可制作大规格坩埚(最大直径8inch,最大高度18inch);
    2.纯度>99.99%
    3.使用次数多(具有优异的层间结构);
    产品应用
    应用于原位合成GaAs、InP等半导体单晶。
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  • LEC坩埚
    液封直拉法(LEC)技术可生长适用于直接离子注入的高纯非掺杂半绝缘单晶或多晶等。
    主要特点:
    1.我公司可制作大规格坩埚(最大直径12inch,最大高度17inch)
    2.纯度高(>99.99%);
    3. 1500℃下,a方向的热导率是c方向的20倍以上,有利于形成单晶生长所需的温度梯度。
    产品应用
    用于LEC法合成GaAs、InP、GaP等半导体单晶及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶。
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  • PBN舟
    水平定向凝固法合成多晶,定向凝固炉分为3个温区,以砷化镓多晶为例,砷单质在低温区(约630 ℃)升华,通过中温区后在高温区(1 250~1 255 ℃)与镓逐渐化合为砷化镓多晶。PBN舟用于高温区的反应容器。
    主要特点:
    1.可制作大规格舟(最大高度为17inch);
    2.密度高(最高可达2.20g/cm3);
    3.纯度高(>99.99%);
    4.不易开裂(层间强度高)
    5.耐高温(真空中最高可耐受2300℃高温);
    6.抗热震性好;
    7.使用寿命长 。
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    用于水平定向凝固法生长Ⅲ-Ⅴ族化合物多晶等。
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  • PBN板材垫片
    目前常规的绝缘材料存在不耐高温、纯度低、高温下释放气体、韧性差、高温下不绝缘、易被腐蚀等缺点,PBN绝缘板可解决这些问题。
    主要特点:
    1.在真空中最高可耐受2300℃,在氨气氛下最高可耐受2700℃
    2. 纯度高,高温下不释放气体杂质(>99.99%)
    3.韧性好(类似于石墨的六方结构)
    4. 高温绝缘性好(体积电阻系数3.11×1011Ω•cm)
    5.强化学惰性,耐酸碱盐及有机溶剂的腐蚀
    6. c方向热导率低,能够阻挡热量向下传导,减少热量的损失
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    用于真空、高温、MBE设备等领域的绝缘垫板、垫片、支架、桥架等
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  • 氮化硅基板,氮化硅散热片
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